*. 自动测试选点方式：49点、81点、中心1点、中心10点、中心半径5点、中心边缘5点、中心半径边缘9点、直径扫描；
*. 屏蔽和吸附测试：对样品进行屏蔽和真空吸附测试，完全消除光和全自动测试过程中样品移动对样品测试的影响，保证测量的准确性；
*. 测试数据处理：以Excel格式文件表格记录测试数据，并生成2D、3D的 map图。用户可对采集的数据在Excel中进行进一步的各种数据统计分析；
*.测量范围：
电阻率:10^-5～10⁵Ω.cm
方块电阻:10^-4～10⁶Ω/□

*. 可对样品进行单点、五点、九点、多点、直径扫描等模式的全自动测试；
*. 屏蔽测试，完全消除光线对样品测试的影响，保证测量的准确性；
*.测量范围：
电阻率:0.0001～2000Ω·cm(可扩展)
方块电阻:0.001～20000Ω/□(可扩展)

*.运用四探针测量原理的多用途综合测量设备。该仪器按照单晶硅物理测试方法国家标准并参考美国A.S.T.M 标准而设计的，专用于测试半导体材料电阻率及方块电阻(薄层电阻)的专用仪器。测量数据既可由主机直接显示，亦可由计算机控制测试采集测试数据到计算机中加以分析，然后以表格，图形方式统计分析显示测试结果；
*.适用晶片尺寸：2"～12"(选配探针台)；
*.测量范围：
电阻率：10^-5～10⁵Ω·cm(可扩展)
方块电阻：10^-4～10⁶Ω/□(可扩展)

*.RTS-4所有的特性和规格跟RTS-8一样。不同处RTS-8测量范围比RTS-4宽
*.测量范围：
电阻率:0.0001～2000Ω·cm(可扩展)
方块电阻:0.001～20000Ω/□(可扩展)

*.根据单晶硅物理测试方法国家标准并参考美国A.S.T.M标准设计的半导体材料电阻率及方块电阻(薄层电阻)测试专用仪器；
*.适用晶片尺寸：2"～6"；
*.测量范围：
电阻率：0.001～200Ω·cm(可扩展)
方块电阻：0.01～2000Ω/□(可扩展)

*.采用了四探针双位组合测量新技术，将范德堡测量方法推广应用到直线四探针上，利用电流探针电压探针的变换，在计算机控制下进行两次电测量，把采集到的数据在计算机中加以分析，自动消除样品几何尺寸、边界效应以及探针不等距和机械游移等因素对测量结果的影响，然后以表格图形方式统计分析显示测试结果；
*.适用晶片尺寸：2"～12"(选配探针台)；
*.测量范围：
电阻率：10^-5～10⁵Ω·cm(可扩展)
方块电阻：10^-4～10⁶Ω/□(可扩展)

*.RTS-5所有的特性和规格跟RTS-9一样。不同处RTS-9测量范围比RTS-5宽
*.测量范围：
电阻率:0.0001～2000Ω·cm(可扩展)
方块电阻:0.001～20000Ω/□(可扩展)

*.运用四探针测量原理的多用途综合测量设备。该仪器按照单晶硅物理测试方法国家标准并参考美国A.S.T.M 标准而设计的，专用于测试金属材料电阻率及方块电阻(薄层电阻)的专用仪器。计算机控制测试采集测试数据到计算机中加以分析，然后以表格，图形方式统计分析显示测试结果；
*.测量范围：
电阻率：10^-7～10^-2Ω·cm
方块电阻：10^-6～10^-1Ω/□

*.根据单晶硅物理测试方法国家标准并参考美国A.S.T.M标准设计的专用于测量硅晶块、晶片电阻率及扩散层、外延层、ITO导电箔膜、导电橡胶等材料方块电阻的小型仪器；
*.体积仅为：125mm(宽)*145mm(高)*245mm(深)；
*.RTS-2测量范围：
电阻率：0.01～1999.9Ω.cm；
方块电阻：0.1～19999Ω/□；
*.RTS-2A测量范围：
电阻率：0.001～199.99Ω.cm；
方块电阻：0.01～1999.9Ω/□；

*.根据单晶硅物理测试方法国家标准并参考美国A.S.T.M标准设计的专用于测量硅晶块、晶片电阻率及扩散层、外延层、ITO导电箔膜、导电橡胶等材料方块电阻的手持式仪器；
*.体积仅为：185mm(长)*90mm(宽)*30mm(高)；
*.测量范围：
电阻率：0.01～1999.9Ω.cm；  
方块电阻：0.1～19999Ω/□；
*.锂电池供电，一次充电可连续使用100小时；

*.用了四探针双位组合测量新技术，将范德堡测量方法推广应用到直线四探针上，利用电流探针电压探针的变换，进行两次电测量，能自动消除样品几何尺寸、边界效应以及探针不等距和机械游移等因素对测量结果的影响；
*.适用晶片尺寸：2"～6"；
*.测量范围：
电阻率：0.001～200Ω·cm(可扩展)
方块电阻：0.01～2000Ω/□(可扩展)