*.运用四探针测量原理的多用途综合测量设备。该   仪器按照单晶硅物理测试方法国家标准并参考美   国 A.S.T.M 标准而设计的，专用于测试半导体   材料电阻率及方块电阻(薄层电阻)的专用仪器。   测量数据既可由主机直接显示，亦可由计算机控   制测试采集测试数据到计算机中加以分析，然后   以表格，图形方式统计分析显示测试结果；
*.适用晶片尺寸：2"～12"(选配探针台)；
*.测量范围 - 电阻率：10^-5～10⁵ Ω·cm(可扩展)
　　　　   方块电阻：10^-4～10⁶ Ω/□(可扩展)

*.RTS-4所有的特性和规格跟RTS-8一样。不同处   RTS-8测量范围比RTS-4宽
*.测量范围 - 电阻率:0.0001～2000Ω·cm(可扩展)
　　　　   方块电阻:0.001～20000Ω/□(可扩展)

*.根据单晶硅物理测试方法国家标准并参考美国   A.S.T.M标准设计的半导体材料电阻率及方块电　  阻(薄层电阻)测试专用仪器；
*.适用晶片尺寸：2"～6"；
*.测量范围 - 电阻率：0.001～200Ω·cm(可扩展)
　　　　   方块电阻：0.01～2000Ω/□(可扩展)

*.根据单晶硅物理测试方法国家标准并参考美国   A.S.T.M标准设计的专用于测量硅晶块、晶片电   阻率及扩散层、外延层、ITO导电箔膜、导电橡   胶等材料方块电阻的小型仪器；
*.体积仅为：125mm(宽)*145mm(高)*245mm(深)；
*.RTS-2测量范围-电阻率：0.01～1999.9Ω.cm；                 方块电阻：0.1～19999Ω/□；
*.RTS-2A测量范围-电阻率：0.001～199.99Ω.cm；                 方块电阻：0.01～1999.9Ω/□；

*.根据单晶硅物理测试方法国家标准并参考美国   A.S.T.M标准设计的专用于测量硅晶块、晶片电   阻率及扩散层、外延层、ITO导电箔膜、导电橡   胶等材料方块电阻的手持式仪器；
*.体积仅为：185mm(长)*90mm(宽)*30mm(高)；
*.测量范围 - 电阻率：0.01～1999.9Ω.cm；  
            方块电阻：0.1～19999Ω/□；
*.锂电池供电，一次充电可连续使用100小时；

*.采用了四探针双位组合测量新技术，将范德堡测   量方法推广应用到直线四探针上，利用电流探针   电压探针的变换，在计算机控制下进行两次电测   量，把采集到的数据在计算机中加以分析，自动   消除样品几何尺寸、边界效应以及探针不等距和   机械游移等因素对测量结果的影响，然后以表格   图形方式统计分析显示测试结果；
*.适用晶片尺寸：2"～12"(选配探针台)；
*.测量范围 - 电阻率：10^-5～10⁵ Ω·cm(可扩展)
　　　　   方块电阻：10^-4～10⁶ Ω/□(可扩展)
*.可测晶片厚度：≤3.00mm

*.RTS-5所有的特性和规格跟RTS-9一样。不同处   RTS-9测量范围比RTS-5宽
*.测量范围 - 电阻率:0.0001～2000Ω·cm(可扩展)
　　　　   方块电阻:0.001～20000Ω/□(可扩展)

*.用了四探针双位组合测量新技术，将范德堡测   量方法推广应用到直线四探针上，利用电流探   针电压探针的变换，进行两次电测量，能自动   消除样品几何尺寸、边界效应以及探针不等距   和机械游移等因素对测量结果的影响；
*.适用晶片尺寸：2"～6"；
*.测量范围 - 电阻率：0.001～200Ω·cm(可扩展)
　　　　   方块电阻：0.01～2000Ω/□(可扩展)